| 摘要 |
本发明和半导体元件之制造有关，特别是那些含有Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅳ族之化物半导体材料，和涉及快速热退火（简称ＲＴＡ）之半导体晶圆，特别地是那些植入有杂质之半导体材料。本发明亦和一种黑盒子器具有关，此器具协同ＲＴＡ使用。此进行包含将即将接受退火处理之晶圆封装在一种黑盒子之内，此盒子包含一种黑体材料成分和具有晶圆之黑盒子接受ＲＴＡ处理。在一较好的具体实体中，此ＲＴＡ包含（ａ）一种预退火步骤，此步骤包含加热至某一温度和持续一段期间，充分的预热晶圆，以便减轻主退火步骤所引起之热击，（ｂ）主退火步骤在某一温度，持续一段期间，充分的去除已述的表面之损坏和催化被植入的杂质，此损坏乃由于杂质植入所引起，和（ｃ）一种次退火步骤执行在某一温度和持续一段期间，充分的去除主退火步骤所引起之应力。ＲＴＡ和黑盒子之搭配使用使得晶圆大大地没有断层线和具有可再制地高移动率和均匀的催化。 |
