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发明名称
Verfahren zur Herstellung von Kristalliten oder einem Einkristall aus einen Gehalt an Störstoffen besitzendem halbleitendem Material bzw. von Halbleiterlegierungen
摘要
申请公布号
AT211792(B)
申请公布日期
1960.11.10
申请号
AT19540005435
申请日期
1954.10.01
申请人
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION
发明人
分类号
主分类号
代理机构
代理人
主权项
地址
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