PROCESS FOR DETERMINING THE POSITION OF A PN TRANSITION

摘要

La présente invention se rapporte à un procédé pour la détermination de la position d'une jonction pn ou de la profondeur de pénétration de l'électrode diffusée dans le cas de composants semiconducteurs réalisés en technologie planaire. Selon l'invention est également soumis à l'exposition un modèle d'essai se composant de N paires de fenêtres dont la distance augmente de paire en paire. Au cours du procédé de diffusion, les cuves produites se chevauchent dans le cas des paires de fenêtres les plus proches, se touchent dans le cas d'une paire de fenêtres (nO) et sont séparées dans le cas de paires de fenêtres plus distantes. A l'aide d'une mesure de résistance, on détermine la paire de fenêtres (nO) où les deux cuves se touchent tout juste, ce qui donne comme résultat la profondeur de pénétration latérale Yj comme demi-distance de cette paire de fenêtres. La profondeur de pénétration latérale permet de déterminer la profondeur de pénétration verticale Xj par l'intermédiaire de la relation Yj = C . Yj. Dans des variations de ce procédé figure en outre une possibilité de correction de la différence entre mesure de layout et mesure de gravure par attaque ainsi qu'une autre possibilité de déterminer la valeur exacte de la profondeur de pénétration latérale YjO. Cette possibilité permet de déterminer la dopage du matériau dans lequel la diffusion a lieu.