| 发明名称 | 中子和γ-射线屏蔽材料 | ||
| 摘要 | 中子和γ-射线屏蔽材料。本发明是关于x，γ辐射，微粒辐射及粒子轰击的防护领域。材料具有质量轻，易做变形加工、耐冲击、耐弯曲、耐拉伸等特点。适用于需要经常变形的物质和从事研制和使用放射性物质的人员的防护材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1052968A | 申请公布日期 | 1991.07.10 |
| 申请号 | CN89109694.9 | 申请日期 | 1989.12.29 |
| 申请人 | 天津纺织工学院 | 发明人 | 段瑾源;张兴祥;于俊林;牛建津;金剑;王学晨;张华 |
| 分类号 | G21F3/00 | 主分类号 | G21F3/00 |
| 代理机构 | 纺织专利咨询服务中心 | 代理人 | 丛莉珍 |
| 主权项 | 1、辐射屏蔽高分子材料，特别是中子和γ-射线屏蔽材料。其特征为将中子吸收物质和γ-射线防护物质均匀分散在聚合物为聚乙稀醇或聚乙稀中，制成防中子和γ射线的板材。 | ||
| 地址 | 天津市程林庄道63号 | ||