| 发明名称 |
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03160697(A) |
申请公布日期 |
1991.07.10 |
| 申请号 |
JP19890300349 |
申请日期 |
1989.11.17 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
MIYAWAKI YOSHIKAZU;TERADA YASUSHI;NAKAYAMA TAKESHI;KOBAYASHI KAZUO;RINETSU MASANORI |
| 分类号 |
G11C29/00;G11C29/04;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/10 |
主分类号 |
G11C29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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