| 发明名称 |
DIELECTRIC ISOLATING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME SUBSTRATE AND MANUFACTURE OF DIELECTRIC ISOLATION SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03155649(A) |
申请公布日期 |
1991.07.03 |
| 申请号 |
JP19890318980 |
申请日期 |
1989.12.11 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
NAKAGAWA AKIO;FURUKAWA KAZUYOSHI;OGURA TSUNEO;TANZAWA KATSUJIRO |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/02;H01L21/76;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/12 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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