晶须补强氮化硅复合材料制造方法

摘要

本发明属于一种碳化硅晶须补强氮化硅复合材料的制造方法，是用Si₃N₄、SiO₂、碳黑及助烧结剂为原料，于1500～1900℃，1.1～10atmN₂压力下合成SiC晶须，然后在600～700℃脱碳，脱碳后的复合原料于1700～1900℃，N₂气氛下热压0 5～2小时，即可得到致密的Si₃N₄-SiC(w)复合材料，本发明得到的复合材料的断裂韧性为8.0MPa·m^1/2常温强度为670MPa，经1300℃氧化100小时后在1300℃测得高温强度为621MPa，仅比常温强度降低了7.3％。

主权项

1、一种晶须补强氮化硅复合材料的制造方法(以下简称“制造方法”)，是将所需的原料混合之后于1500～1900℃经1～2h合成，然后在600～700℃保温1～3h脱碳，再于1700～1900℃下热压0.5～2h，即可得到致密的Si3N4-SiC(w)复合材料，其特征在于：所述的原料为Si3N4SiO2、碳黑及助烧结剂，于1500～1900℃下，1.1～10atmN2压力下合成复合原料。