PACKAGED DIODE FOR HIGH TEMPERATURE OPERATION

摘要

Une diode encapsulée (10) peut être utilisée à des températures supérieures à 200 °C et pendant des excursions thermiques allant de -65 °C jusqu'à au moins 350 °C. Une diode (13) ayant des parties p-n respectives (20, 21) reliées par une jonction p-n (22) intermédiaire est composée d'un matériau semiconducteur stable et a des caractéristiques satisfaisantes à ces températures. Des connexions conductrices (23, 24) sont reliées aux côtés opposés de la diode de jonction et aux parties p et n respectives de la diode. Une électrode (11, 12) adjacente à chaque connexion conductrice est composée d'un matériau électroconducteur ayant un coefficient de dilatation thermique similaire au coefficient de dilatation thermique du matériau semiconducteur, afin d'assurer un support structural à la diode de jonction et au contact électrique avec celle-ci. Un conducteur (15, 16) contacte chaque électrode du côté opposé au contact de l'électrode avec la diode. Chaque conducteur est formé d'un matériau électroconducteur et est relié à l'électrode respective par un alliage qui reste lui aussi physiquement et électriquement stable à des températures supérieures à 200 °C et pendant des cycles répétitifs d'exploitation lors d'excursions thermiques allant de -65 °C jusqu'à 350 °C environ. Un matériau d'encapsulage (14) entoure la diode de jonction et des parties de l'électrode de manière à les renfermer hermétiquement.