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Bei einem abschaltbaren Leistungs-Halbleiterbauelement wird durch Integration eines nichtlinearen, sättigenden Emitter-Ballastwiderstands in das Halbleitersubstrat (19) zwischen dem Emittergebiet (4) und der zugehörigen Metallisierung (1) eine erhöhte Festigkeit gegen Stromfilamentierung beim Abschalten erreicht. Die Integration lässt sich sowohl bei MCTs als auch bei GTOs problemlos anwenden. <IMAGE>
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