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Die vorgeschlagene Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen enthält mindestens einen aus zwei komplementären Transistoren (3, 4) aufgebauten Thyristor sowie einen integrierten Widerstand (13b), der parallel zur Basis (13a)-Emitter (14a)-Strecke des zweiten Transistors (4) geschaltet ist. Durch eine spezielle Anordnung und Struktur der den Thyristor bildenden Zonen in einem Halbleitersubstrat (10) wird aufgrund einer Kombination von Transistor- und Thyristor-Wirkung eine hohe Belastbarkeit gegen elektrostatische Entladungen beider Polaritäten erreicht. <IMAGE>
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