发明名称 | 各向异性腐蚀硅片的改进方法与硅片腐蚀溶液 | ||
摘要 | 一种各向异性腐蚀(100)硅片晶面的改进方法,它包括将其硅晶片浸渍在腐蚀溶液中,其腐蚀溶液含有一种芳族化合物,该芳族化合物苯环上具有至少两个相临的羟基和一个极性官能团,一种胺和水。达到了高质量的腐蚀,其速率高得多。 | ||
申请公布号 | CN1052513A | 申请公布日期 | 1991.06.26 |
申请号 | CN90108439.5 | 申请日期 | 1990.09.26 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 拉里·威尔伯·奥斯丁;哈罗德·乔治·林德 |
分类号 | C23F1/24;H01L21/306 | 主分类号 | C23F1/24 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 乔晓东 |
主权项 | 1、一种腐蚀硅的方法,其特征在于,所述的硅与腐蚀溶液接触,其腐蚀溶液含有在苯环上至少有两个相临的羟基和一个极性官能团的芳族化合物、一种胺和水。 | ||
地址 | 美国纽约 |