| 摘要 |
<p>Le circuit de précharge 10 du bus de mémoire 11 comprend un transistor bipolaire Ø piloté par un signal d'horloge Ø et ayant sa base B reliée aux deux potentiels d'alimentation respectivement par l'intermédiaire de deux transistors à effet de champ de types complémentaire N2, P2 ayant leurs grilles reliées à la sortie d'un amplificateur à seuil 12 connecté au bus. <IMAGE></p> |
