| 主权项 |
1、一种半导体二极管激光器，包括一半导体本体(30)，该半导体本体具有第一导电型半导体衬底(10)，半导体衬底(10)上依次配置有至少一第一导电型的第一覆层(1)、一激活辐射发射层3和一第二导电型的第二覆层(4)；半导体衬底(10)和第二覆层(4)在激活区(13′)内设有供流装置(8、11、21)，激活区(13′)是激活层(3)的一部分，位于条形区(13)底下，且其纵向基本上垂直于位于激活区(13′)外的镜面(35，36)，在激活区(13′)中由于在正向方向上具有足够高的电流强度，而产生相干电磁辐射，且在激活区(13′)中，在镜面(35，36)与激活区(13′)之间的中间区(17，19)中配置有辐射波导(15)，辐射波导(15)将激活区(13′)光学耦合到镜面(35，36)上，且出现在位于第三覆层(1′)与第四覆层(6)之间的辐射导引层(2′)中；其特征在于，辐射波导(15)借助于配置在辐射导引层(2′)中的装置(12)在横向确定，这样在辐射导引层(2′)中在辐射波导(15)两侧形成有效折射率的台阶，且位于辐射波导(15)的增强断面内的层(1′，2′，6)的各部分，它们的禁带宽度都比激活层(3)的大。 |
