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发明名称 Semiconductor device MESFET with upper and lower layers
摘要
申请公布号 US5027170(A) 申请公布日期 1991.06.25
申请号 US19900611648 申请日期 1990.11.13
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 NISHIGUCHI, MASANORI;OKAZAKI, NAOTO
分类号 H01L29/10;H01L29/812 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
主权项
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