发明名称 桥体加反干扰源tgδ测量方法
摘要 一种桥体加反干扰电源的介质损耗因素tgδ测量方法,能在现场强电场干扰下对输变电气设备,特别是干扰最严重的电压、电流互感器的tgδ值进行准确测量。本发明有技术特征是在测量电桥的一个桥臂上接入反干扰电源Es,使它产生的反干扰电流同强电场干扰下产生的干扰电流大小相等而相位相反,以消除干扰电流对测量结果的影响。
申请公布号 CN1052378A 申请公布日期 1991.06.19
申请号 CN89105802.8 申请日期 1989.12.06
申请人 傅志扬 发明人 傅志扬
分类号 G01R27/26 主分类号 G01R27/26
代理机构 湖南省专利服务中心 代理人 马强
主权项 1、一种在强电场干扰下桥体加反干扰源的现场测量输变电电气设备的介质损耗因素tgδ的方法,它是将可调电容器C4同电阻器R4并联后一端与可调电阻R3的一端相接于E点而其另一端同电容器CN的一端相接于B点,可调电阻器R3的另一端同被测电气设备Cx的一端相接于A点,电容器CN的另一端同被测电气设备Cx的另一端接于F点,由此构成一个电桥,检流计G的两端分别接在该电桥的A、B两结点,试验变压器B1的输出端接在所述电桥的E、F结点而向电桥供电,本发明的特征是,在所述电桥的R3桥臂或C4R4桥臂或检流计G上加入一个反干扰电源ES,使它产生的反干扰电流if同强电场干扰下所产生的干扰电流ig的大小相等而相位相反,由此消除干扰电流ig对电桥的影响。
地址 410007湖南省长沙市韶山路省电力试验研究所