| 发明名称 |
HALBLEITERELEMENT, EPITAXIAL GEWACHSEN AUF EINEM SUBSTRAT VON VERSCHIEDENER GITTERKONSTANTE UND ANWENDUNG FUER MEHRERE HALBLEITERBAUELEMENTE. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE3769816(D1) |
申请公布日期 |
1991.06.13 |
| 申请号 |
DE19873769816 |
申请日期 |
1987.03.03 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF, PUTEAUX, FR |
发明人 |
RAZEGHI, MANIJEH;MEUNIER, PAUL-LOUIS, F-75008 PARIS, FR |
| 分类号 |
G02B6/12;G02F1/05;H01L21/20;H01L21/822;H01L31/10;H01L33/00;H01S5/00;(IPC1-7):H01L21/20;C30B25/02 |
主分类号 |
G02B6/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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