发明名称 METHOD AND DEVICE FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION FAULT ANALASYS
摘要 <p>Puce pour tester les semi-conducteurs destinée à l'analyse des défauts de fabrication de semi-conducteurs comprenant une matrice nx m de cellules de portes de transmission agencées de telles manière qu'au sein d'une rangée donnée, des bandes respectives de matériau conducteur d'un premier type forment une source commune et des électrodes de drain pour les transistors de la rangée, les sources et drains de chaque rangée étant indépendants, et qu'au sein d'une colonne, des bandes respectives de matériau conducteur dedeuxième type forment des électrodes de portes communes de telle manière que chaque colonne de transistors puisse être excitée indépendamment des autres. Un circuit d'entrée permet à un profil binaire prédéterminé d'être appliqué sélectivement aux entrées des rangées des cellules de porte de transmission. Un démultiplexeur comprenant des portes de transmission de sortie est connecté aux sorties respectives des rangées de la matrice afin d'effectuer unadressage sélectif de la sortie de chaque rangée de cellules de porte de transmission. Un amplificateur opérationnel est connecté aux sorties desdites cellules de porte de transmission de sortie et la sortie de l'amplificateur opérationnel est codée selon un schéma logique à trois niveaux. Un démultiplexeur sert à exciter sélectivement chaque colonne de cellules de porte de transmission.De cette manière, la nature physique et la localisation des défauts de la puce peuvent être déterminées à partir de ladite sortie codée à plusieurs niveaux. Les résultats sont utiles pour déterminer les rendements et la fiabilité des processus. Ils peuvent êtreutilisés pour le modelage de rendement de haut niveau.</p>
申请公布号 WO1991008585(A1) 申请公布日期 1991.06.13
申请号 CA1990000416 申请日期 1990.11.26
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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