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Fusible MOS à claquage d'oxyde tunnel programmable. Un tel fusible est composé d'une cellule mémoire EEPROM à oxyde tunnel, d'un plan mémoire EEPROM, dont on peut claquer, à un moment donné de l'application, l'oxyde tunnel, par commutation d'un front raide à la place d'un front lent d'une tension de programmation/effacement Vpp. Un tel fusible est utilisable dans tous circuits intégrés MOS, et s'adresse en particulier aux applications de type carte à mémoire. <IMAGE> |
