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发明名称 MOS TRANSISTOR CIRCUIT
摘要
申请公布号 KR910003834(B1) 申请公布日期 1991.06.12
申请号 KR19860008018 申请日期 1986.09.25
申请人 TOSHIBA CORP. 发明人 SUEJUKI YUICHI;SEKAWA MAKOTO;ARIISUEMI SHYOJI;KONDO DAKEO;MASOKA FUJIO
分类号 H01L29/78;H01L27/02;H01L27/06;H01L29/866;H02H7/20;H03F1/00;H03F1/42;H03F1/52;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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