VLSI BIPOLAR PROCESS AND KEYHOLE TRANSISTOR.

摘要

Un procédé bipolaire VLSI consiste à masquer et à produire une image sur un substrat de silicium P-dopé (21), à y implanter un arrêt de canal P+ (32) et à l'oxyder localement pour définir une zone de collecteur, à y implanter un collecteur du type N (43) et à diffuser le matériel d'implantation (40, 44). Les figures élémentaires de l'émetteur, du collecteur et du contact de base (64, 66, 68) de l'appareil sont définies photolithographiquement par deux ouvertures (54, 56) séparées agencées sur la longueur de la zone de collecteur. Des zones de faible résistivité de type P ou N (74, 80) sont implantées dans des ouvertures ménagées dans le substrat et recouvertes par oxydation localisée (86, 88). De préférence, la zone de collecteur a la forme d'un trou de serrure où la figure élémentaire du contact du collecteur (66B) et la région adjacente (80B) sont larges et la figure élémentaire du contact de base (68B) et de l'émetteur (64B), ainsi que la zone intermédiaire (74B), sont étroites. Le substrat (22) des figures élémentaires de l'émetteur et du contact est exposé. Une couche unique de polysilicium (94) est déposée, sélectivement dopée et oxydée pour former des contacts distincts de base, de collecteur et d'émetteur (94) et un transistor à triple diffusion NPN (116, 92, 40).