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发明名称 Method of etching for integrated circuits with planarized dielectric
摘要
申请公布号 US5022958(A) 申请公布日期 1991.06.11
申请号 US19900544705 申请日期 1990.06.27
申请人 AT&T BELL LABORATORIES 发明人 FAVREAU, DAVID P.;SWIDERSKI, JANE A.;VITKAVAGE, DANIEL J.
分类号 H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/768 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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