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Schaltstufen nach Art der komplementären MOS-Schaltungstechnik weisen zwei Schaltstrecken auf, die umschaltbar gegenphasig einen geschlossenen bzw. geöffneten Zustand einnehmen. Jedem Schaltstufeneingang ist in einer ersten Schaltstrecke (P1) ein PMOS- und in einer zweiten Schaltstrecke (N1) ein NMOS-Feldeffekttransistor als Schaltelement zugeordnet. Die Ausgänge (A11, A21) der Schaltstrecken (P1, N1) sind über ein, wenigstens während eines Umschaltvorganges eine Spannungsdifferenz bewirkendes Bauelement (R) verbunden. Der Ausgang (A11) der ersten Schaltstrecke (P1) ist an eine erste, der Ausgang (A21) der zweiten Schaltstrecke (N1) an eine zweite Signalleitung (L1; L2) zum Anschluß an nachfolgende Schaltstufen angeschlossen. Zur Reduzierung eines bei einem Umschaltvorgang durch beide Schaltstrecken (P2, N2) einer nachfolgenden Schaltstufe fließenden Umschaltstromes ist die erste Signalleitung (L1) an die Gateelektrode des dem Schaltstufeneingang der nachfolgenden Schaltstufe zugeordneten PMOS- und die zweite Signalleitung (L2) an die Gateelektrode des zugeordneten NMOS-Feldeffekttransistors (TP, TN) angeschlossen. Zur Beschleunigung des Umschaltvorganges bei einer nachfolgenden Schaltstufe ist die erste Signalleitung (L1) an die Gateelektrode des dem Schaltstufeneingang der nachfolgenden Schaltstufe zugeordneten NMOS- und die zweite Signalleitung (L2) an die Gateelektrode des zugeordneten PMOS-Feldeffekttransistors (TN, TP) angeschlossen. <IMAGE>
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