| 摘要 |
<p>Bei symmetrisch sperrenden Thyristoren und bei Dioden ist für manche Anwendungsbeispiele eine Absenkung der anodenseitigen Speicherladung erwünscht. Dies wird durch in der anodenseitigen Emitterzone liegende Kurzschlüsse erreicht. Diese werden zwischen in der Emitterzone eingebetteten Zonen (10) eines ersten Leitungstyps und Zonen eines zweiten Leitungstyps gebildet. Die Zonen des zweiten Leitungstyps sind tiefer als die des ersten Leitungstyps und überlappen die Zonen des zweiten Leitungstyps teilweise. Bei niedriger Stromdichte sind diese Kurzschlüsse unwirksam, bei hoher Stromdichtesind sie wirksam. Kurzschlüsse dieser Art lassen sich auch bei speziellen Dioden auf der Katodenseite verwenden, die als Freilaufdioden für GTO-Thyristoren eingesetzt werden sollen, sowie bei asymmetrischen GTO-Thyristoren auf der Anodenseite. <IMAGE></p> |
