| 摘要 |
Un procédé permet de fabriquer des couches semi-conductrices dopées avec une faible concentration de porteurs de charge. A cet effet, on superpose une pluralité de couches minces qui présentent alternativement des concentrations relativement élevées de porteurs de charge et un dopage nul. L'épaisseur et la concentration de porteurs de charge des couches individuelles sont calculées de sorte que la concentration moyenne de porteurs de charge dans les diverses couches soit aussi faible que l'on veut. |
