| 发明名称 |
PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SILICON CARBIDE WITH A LARGE SPECIFIC SURFACE AREA AND USE FOR HIGH-TEMPERATURE CATALYTIC REACTIONS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU610677(B2) |
申请公布日期 |
1991.05.23 |
| 申请号 |
AU19880027581 |
申请日期 |
1988.12.30 |
| 申请人 |
PECHINEY ELECTROMETALLURGIE |
发明人 |
MARC J. LEDOUX;JEAN-LOUIS GUILLE;SYLVAIN HANTZER;DOMINIQUE DUBOTS |
| 分类号 |
B01D53/86;B01D53/94;B01J27/224;C01B31/36;C10G49/02;(IPC1-7):C01B31/36;B22F9/04;B22F9/12;B01D53/36;B01J3/00 |
主分类号 |
B01D53/86 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
