| 发明名称 |
METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR ELEMENT BY ION BEAM |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH03116724(A) |
申请公布日期 |
1991.05.17 |
| 申请号 |
JP19890251884 |
申请日期 |
1989.09.29 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
ITO FUMIKAZU;SHIMASE AKIRA;HARAICHI SATOSHI;TAKAHASHI TAKAHIKO |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
