Semiconductor power module.

摘要

Bei Leistungshalbleitermodulen mit mindestens einer Halbbrücke, welche mehrere parallelgeschaltete Leistungstransistoren enthalten, wird ein Modulaufbau gewünscht, welcher geringere Wirkungen des Lastkreises auf den Steuerkreis verursacht. Mit der Erfindung wird vorgeschlagen, zumindest die Hauptanschlußleitungen (22, 23, 24 bzw. 50) mit breiten Bandern und in der geometrischen Anordnung einer Anschlußbandleitung (9 bzw. 44) auszubilden.