| 摘要 |
L'invention concerne les capteurs à semi-conducteurs à effet de champ. Le capteur selon l'invention comprend un oscillateur en anneau (3) formé à partir d'un nombre impair d'inverseurs CMOS et disposé dans une zone sensible (2) à la grandeur physique que l'on désire mesurer. Afin d'augmenter la sensibilité du capteur, on dispose pour chaque inverseur CMOS le canal n du transistor NMOS perpendiculairement au canal p du transistor PMOS. |
