Process for depositing microcrystalline particles from the gas phase by chemical vapour deposition.

摘要

Verfahren zur Abscheidung mikrokristalliner Festkörperpartikel aus einer Kohlenstoff-haltige Gase enthaltenden Gasphase mittels Chemical Vapour Deposition (CVD), bei dem die abzuscheidenden Festkörperpartikel bei einem Druck im Bereich von 10<-><5> bis 1 bar an einem, auf eine Temperatur im Bereich von 450 bis 1200 °C aufgeheizten Substrat abgeschieden werden und bei dem die chemischen Gasphasenreaktionen in der thermisch durch einen Widerstandsheizleiter angeregten Gasphase erfolgen, wobei ein aus einem Carbid mindestens eines Übergangsmetalls aus den Nebengruppen IVa bis des Periodischen Systems der Elemente (PSE) mit einem einer stöchiometrischen Zusammensetzung mindestens nahezu entsprechenden Gehalt an gebundenem Kohlenstoff und mit einem Schmelzpunkt > 2000 °C hergestellter Widerstandsheizleiter eingesetzt wird.