METHOD OF PREPARING SILICON CARBIDE SURFACES FOR CRYSTAL GROWTH

摘要

Procédé de formation d'une surface plane sur un cristal au carbure de silicium monocristallin, par exposition de la surface plane à un plasma de gravure jusqu'à élimination d'éventuelles détériorations de surface ou de sous-surface provoquées par n'importe quelle préparation mécanique. Toutefois, la gravure est limitée à une durée inférieure à celle pendant laquelle la gravure au plasma développe de nouveaux défauts dans la surface ou aggrave les défauts existants, et tandis que l'on utilise un système d'électrode et de gaz au plasma n'aggravant ou ne provoquant pas eux-mêmes les défauts de la surface.