Semiconductor laser with electrically tunable wavelength.

摘要

Bekannt sind wellenlängenabstimmbare Halbleiterlaser mit einem laseraktiven Bereich, einem Photonenemissionsbereich, der ein Wellenleiterbereich sein kann, und mit einem Frequenzfilter, z.B. einem Bragg-Gitter. Durch Strominjektion in den Wellenleiter-Bereich im Gebiet des Bragg-Gitters werden Photonen in den laseraktiven Bereich injiziert. Die Erfindung schafft einen Halbleiterlaser, aus dessen Wellenleiterbereich solche Photonen in den laseraktiven Bereich injiziert werden, deren Energien von der Energie-Summe aus dem chemischen Potential der Elektron-Loch-Paare und der Energie der longitudinalen akustischen Phononen um weniger als die halbe thermische Energie abweichen. Durch einen Strom (IT) in den Photonenemissionsbereich (17) im Gebiet des Bragg-Gitters werden Photonen dieser Energie in den von einer Schicht (9) aus Indium-Galliumarsenid-Phosphid gebildeten laseraktiven Bereich injiziert.