用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法

摘要

本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法，将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而，腐蚀是有限的，持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间，同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷。

主权项

1、一种在碳化硅表面上外延生长一层单晶碳化硅薄膜的方法，该方法可降低所得到的薄膜中以及薄膜和碳化硅表面之间界面中的缺陷密度，该方法包括： 在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本上是平面的表面； 将基本上是平面的表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除，但是持续时间不超过在表面中等离子体腐蚀本身发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所需的时间，并且同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中造成显著的缺陷；以及 用化学气相沉积方法在经腐蚀的表面上沉积一层单晶碳化硅薄膜。