| 主权项 |
1﹒一种用于,制备低温烧成介电体的组合物,其包含下列微细粒子之掺合物:(a)钛酸镁;(b)0-10重量%(以全部固体为基准)之钛酸钙;(C)5-10重量%(以全部固体为基准)锌对硼原子比率为1─2之硼酸锌助熔剂;玻璃料含有0─5重量%氧化钡(以全部固体为基准)其中达50莫耳%的三氧化二硼可以三氧化二铝代替之,(d)0─5重量%(以全部固体为基准)之钡化合物,其系选自碳酸钡,钛酸钡,及彼等之混合物;(e)由氧化镁,氧化钙,氧化锌,及彼等之混合物选出之其量与组合物内之钛酸钡莫耳相近的二价金属氧化物或其先质,组合物内的钡总含量以氧化钡计算为1─5重量%(以全部固体为基准,此固体不含有含铅,铋及镉的化合物)。2﹒如申请专利范围第1项所请之组合物,其中,(a)─(e)组份的掺合物乃分散于有机介质中。3﹒一种注浆组合物,其包含申请专利范围第2项所请的组合物,其中,掺合物系分散于包含有挥发性有机溶剂及有机聚合黏合剂之溶液的有机介质中且分散液具有注浆稠性。4﹒一种介电原带,其包含申请专利范围第3项所请之组合物的浇铸层,其该浇铸层已经加热去除挥发性有机溶剂。5﹒一种介电厚膜淤浆,其包含申请专利范围第2项所请之组合物,其中,掺合物系分散于包含将树脂溶于一挥发性相当低之溶剂中所形成之溶液的有机介质中。6﹒如申请专利范围第5项所请之厚膜于浆,其亦包含了触变剂。7﹒一种陶瓷多层元件,其包含许多由申请专利范围第1项所请之介电组合物所隔开的内厚膜金属导电层,陶瓷及导电层皆已经在低于导电金属之熔点的温度下烧成,以使溶剂自彼等挥发出来并烧结介电材料而不致熔化导电金属。 |
