| 主权项 |
1﹒一种制造半导体装置者,此方法包括下列各步骤:经由形成一条通路通过覆盖一个装置接面之区域而处理一种基片,淀积一种材料在至少一部份的该区域上以形成电之接(触)点至该接面上并向着完成该装置而进展,其特征为:该通路具有至少11之纵横比,该接面具有较2500A为浅之深度,又该电的接(触)点包括下列1)和2)项之淀积物:1)对于钨之固态扩散,呈现障壁之一种材料及2)经由该基片与包括WF6实体和一种还原剂之淀积组合物的相互作用所形成之钨的淀积;其中,在钨淀积期间,将基片加热至250℃至600℃范围内之淀积温度及其中,控制淀积温度和环境,因此使:该项相互作用是自限性,而自限之厚度小于接面深度。2﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,还原剂包括氢。3﹒根据申请专利范围第2项所述之方法,其中,扩散障壁包括一氮化钛。4﹒根据申请专利范围第2项所述之方法,其中,扩散障壁包括钛/钨合金。5﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,扩散障壁包括一氮化钛。6﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,扩散障壁包括钛/钨合金。7﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,选择淀积温度因此使:与对于具有0﹒75之开口纵横比并具有仅铝之接触点的相同接面所获得之产量相比较,该等接面之产量减少不超过10%。8﹒一种装置包括:覆盖一装置接面之介电区域,使电的连接,通过介电区域中之一条通道而造成在装置接面上,其特征为:该接面具有小于2500A之深度,该通道具有大于1﹒1之纵横比;其中,至接面之接触包括:具有一个覆盖之钨区域和一个下层之矽接面区域之扩散障壁材料。9﹒根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,扩散障壁材料包括一氮化钛。10﹒根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,扩散障壁材料包括:钛/钨合金。11﹒根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,钨乃由包含铝之一种材料予以覆盖图示简单说明图1及图2举例说明:本发明中所包括之性质。 |
