| 发明名称 |
Chemisches Vernickelungsbad zum Herstellen von Kontaktflaechen an dotierten Oberflaechenbereichen von Halbleiterkoerpern aus Silicium |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE1242971(B) |
申请公布日期 |
1967.06.22 |
| 申请号 |
DE196400S2239 |
申请日期 |
1964.07.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
LOB DIPL.-ING. UDO |
| 分类号 |
C23C18/36;H01L21/288;(IPC1-7):C23C3/02 |
主分类号 |
C23C18/36 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
