| 主权项 |
1.一个记伪方阵(700)包含:一连串之记忆储存元件(702);附属于该元件以便提供预充电资询讯号该元件的第一对进出线(0,0);该元件之一以其所存之讯号値响应该预充电资询讯号,此响应之发生时间紧跟在第一进出线之预充电之后;该元件在预充电期间藉闸(721,7025)与第一进出线隔绝,此记忆方阵之特点是其尚包含:第二对附属于该元件之进出线(0',15'),第二对进出线藉闸(7022,7026)而与该第一对进出线不相关地提供预充电资询讯号给该元件;第二进出线之预充电资询讯号的时间与在第一对进出线上之预充电进出时间不同,故容许其所属之元件与其在第一对进出线上之响应不相关地以其所存之讯号値响应第二对进出线。2.依据请求专利部份第l.项所述之记忆方阵;其特点是交替之预充电是由读/写时钟之相反的预充电时钟相位控制之。3.依据讲求专利部份第l.项所述之记忆方阵,其中该记忆方阵尚包含:附属于第一组进出线之第一输入/输出记录器及附属于第二输入/输出组之进出线的第二输入/输出记录器;各该记录器响应外界送来之输入讯号而产生预充电资询讯号;此记录器尚可用来自其附属记忆元件之响应讯号提供外界。4.依据请求专利部份第2.项所述之记忆方阵,其中该记忆方阵是NMOS方阵。 |
