发明名称 DIFFUSION PROCESS FOR IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH0383329(A) 申请公布日期 1991.04.09
申请号 JP19890220773 申请日期 1989.08.28
申请人 MATSUSHITA ELECTRON CORP 发明人 TSUBAKI KAZUHIKO;UNO TOSHIHIKO;NAGASAWA YOJI;NAGURA HIDEAKI
分类号 H01L21/223 主分类号 H01L21/223
代理机构 代理人
主权项
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