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发明名称 METHOD OF ETCHING POLYCRYSTALLINE SILICON
摘要
申请公布号 JPH0382026(A) 申请公布日期 1991.04.08
申请号 JP19890218982 申请日期 1989.08.24
申请人 NEC CORP 发明人 ONO YASUYUKI
分类号 H01L21/302;H01L21/3065 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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