双极型和互补金属氧化物半导体晶体管

摘要

双极型和CMOS晶体管。掩膜、图形制作和注入被一体化以减少复杂性，形成PMOS和NMOS栅极导体和双极型发射极结构的分层多晶硅。多晶硅被重掺杂以形成MOS晶体管栅极和另一高杂质浓度的区域，该区域嗣后被扩散至双极型基区。对双极型晶体管的集电极、基极、发射极和MOS晶体管的栅极、源极、漏极用横向延伸的接触条带可制作面积小性能高的晶体管。对电极金属化图形对准的要求可降低。

主权项

1、一种垂直双极型晶体管，包括： 一块半导体基片， 一个半导体集电极区， 一个在所述的基片表面上的集电极区内形成的半导体基区， 一个至少覆盖一部分所述的基区的绝缘层，所述的绝缘层具有一个确定下面发射极区的开孔， 一个位于所述的基区中并对准所述的开孔的半导体发射极区， 一个覆盖在所述的绝缘层上、通过所述的开孔与所述的发射极区形成接触的多晶硅层， 一个与所述的多晶硅发射极层形成硅化物的第一金属导体， 一个与所述的基区形成电气接触的第二导电体， 与所述的集电极区形成电气接触的第三导电体，