首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 FORMATION OF SILICON GATE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要
申请公布号 JPH0378259(A) 申请公布日期 1991.04.03
申请号 JP19890214397 申请日期 1989.08.21
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 KOMORI TOSHIO
分类号 H01L23/52;H01L21/3205;H01L29/78 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com