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发明名称 FORMATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON FILM ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH0373519(A) 申请公布日期 1991.03.28
申请号 JP19890209801 申请日期 1989.08.14
申请人 HOXAN CORP 发明人 YOKOYAMA TAKASHI
分类号 C30B33/02;H01L21/203;H01L21/208 主分类号 C30B33/02
代理机构 代理人
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