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<p>Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem planaren Aufbau als Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Anordnung (MOS-Anordnung). Erfindungsgemäß ist die Metalldicke der Metallschicht (4) wenigstens in Bauelementbereichen mit großen auftretenden Potentialunterschieden so gering ausgeführt, daß bei einem elektrischen Durchschlag zwischen der Metallschicht (4) und dem Halbleiter (1) unterhalb der dielektrischen Durchbruchsfeldstärke (EBmax) an der Durchschlagstelle das Metall der Metallschicht (4) aufschmilzt und verdampft. Dadurch wird die Durchschlagstelle vom restlichen Metallbereich elektrisch isoliert und in einem Selbstheilungseffekt ist die Sperrfähigkeit der MOS-Anordnung wieder hergestellt.</p> |
