| 摘要 |
L'invention concerne un dispositif semiconducteur ainsi qu'un procédé pour déposer une couche d'oxyde à effet tunnel entre deux couches conductrices fondé sur un procédé de dépôt de vapeur chimique à basse température et basse pression (LPCVD) dans lequel on utilise de préférence du tétraéthylarthosilicate (TEOS). Comme il est appliqué à un dispositif à mémoire morte programmable électriquement effaçable (EEPROM) comportant des couches de polysilicium, on fabrique ledit dispositif en formant une première couche de polysilicium (24) configuré comme on le désire. Une couche de dioxyde de silicium est ensuite déposée par décomposition de TEOS pour former une épaisseur prédéterminée (32) d'oxyde à effet tunnel. Si l'on veut obtenir des structures à émission améliorée, on peut obtenir une couche d'oxyde à effet tunnel relativement mince sur la première couche de polysilicium. On procède ensuite au recuit et à la densification de la couche d'oxyde, de préférence à l'aide de vapeur et d'un gaz inerte à une température spécifique. On forme ensuite une seconde couche de polysilicium sur la couche d'oxide à effet tunnel (26). |
