| 发明名称 |
Process for producing a doped region in a semi-conductor layer. |
| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines dotierten Bereichs (8) in einer Epitaxieschicht (2) eines Halbleiterbauelements, wobei vor der Epitaxie der Dotierstoff in das Substrat (1) eindiffundiert wird und nach dem Aufwachsen der Epitaxieschicht (2) in einem Hochtemperaturprozeß eine Ausdiffusion des Dotierstoffes aus dem Substrat (1) in den zu dotierenden Bereich (8) bewirkt wird.
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| 申请公布号 |
EP0417348(A1) |
申请公布日期 |
1991.03.20 |
| 申请号 |
EP19890117139 |
申请日期 |
1989.09.15 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
LAUTERBACH, CHRISTL;BAUER, JOSEF-GEORG, DIPL.-ING. |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/225;H01L21/265;H01L21/74;H01L21/822;H01L21/8252;H01L27/04;H01L27/144 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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