Capacitor structure for field-effect transistor semiconductor memories.

摘要

Die Erfindung beschreibt eine Kapazitätsstruktur für Halbleiterspeicher auf der Basis von Feldeffekttransistoren sowie ihre Herstellung. Neben, anliegend an oder auf einer der aktive Zonen des Transistors ist dabei eine Doppelschicht aus Haft- und Kontaktschicht (4, 5) angeordnet, auf der das Dielektrikum (8) aus keramischen Material aufsitzt.