| 发明名称 |
METHOD FOR CONTROLLING AND CHECKING AN ETCH-PROCESS MADE BY A PLASMA WITH ACTIVE IONS, RADICALS AND/OR NEUTRAL PARTICLES SPECIALLY USED FOR VERY HIGH INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUITS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0273251(B1) |
申请公布日期 |
1991.03.20 |
| 申请号 |
EP19870118187 |
申请日期 |
1987.12.08 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HIEBER, KONRAD, DR.RER.NAT. |
| 分类号 |
H01L21/66;C23F1/02;C23F4/00;G01B7/06;H01J37/32;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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