Gate circuit of combined field-effect and bipolar transistors,申请号US19870127206-传众专利搜索

发明名称	Gate circuit of combined field-effect and bipolar transistors
摘要
申请公布号	US5001366(A)	申请公布日期	1991.03.19
申请号	US19870127206	申请日期	1987.12.01
申请人	HITACHI, LTD.	发明人	MASUDA, IKURO;KATO, KAZUO;SASAYAMA, TAKAO;NISHIO, YOJI;KUBOKI, SHIGEO
分类号	H03K19/08;H01L27/06;H03K19/01;H03K19/017;H03K19/094;H03K19/0944;H03K19/0952	主分类号	H03K19/08
代理机构		代理人
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