Dram cell formed on an insulating layer having a buried semiconductor pillar structure and a manufacturing method thereof,申请号US19880268185-传众专利搜索

发明名称	Dram cell formed on an insulating layer having a buried semiconductor pillar structure and a manufacturing method thereof
摘要
申请公布号	US5001526(A)	申请公布日期	1991.03.19
申请号	US19880268185	申请日期	1988.11.07
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人	GOTOU, HIROSHI
分类号	H01L27/10;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12	主分类号	H01L27/10
代理机构		代理人
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