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发明名称 MOS switching circuit having gate enhanced lateral bipolar transistor
摘要
申请公布号 US4999518(A) 申请公布日期 1991.03.12
申请号 US19890447984 申请日期 1989.12.08
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. 发明人 DHONG, SANG H.;CHEN, CHIH-LIANG;SHIN, HYUN J.
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/07;H03K17/04;H03K17/567;H03K19/08 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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