| 主权项 |
1﹒一种藉乾燥法经由生成强力黏着于树脂件上之铜膜或铜层而生产镀铜树脂件之方法,该方法包括于减压下式于非氧化性蒙气中加热具有热离形温度高于165。之树脂件与甲酸铜,且其进行方式使得树脂件被加热至于至少165℃至低于树脂件之热变形温度范围之预定温度,及甲酸铜系于至少从130℃至165℃之温度范围以至少1℃/min之速率升高温度者,以及将树脂件与甲酸铜维持于至少165℃之温度。2﹒依申请专利范围第1项之方法,其中相对于加热处理树脂件及甲酸铜之镀敷段总面积而言,甲酸铜之数量至少为0﹒001g/cm2。3﹒依申请专利范围第2项之方法,其中甲酸铜之数量由0﹒003至0﹒3g/cm2。4﹒依申请专利范围第1项之方法,其中甲酸铜之温度升高速率于130℃至165℃之温度范围电1至50℃/min。5﹒依申请专利范围第1项之方法,其中藉加热而维持树脂件及甲酸铜之时间系选自1至60分钟之范围。6﹒依申请专利范围第1项之方法,其中之压力为30托耳或以下。7﹒依申请专利范围第6项之方法,其中之压力为5托耳或以下。8﹒依申请专利范围第1项之方法,其中树脂件事先接受表面清洁处理。9﹒依申请专利范围第1项之方法,其中树脂件及甲酸铜连续或间歇地供应至事先加热至预定温度之加热段且随后从加热段中取出。10﹒依申请专利范围第1项之方法,又包括连续电解镀敷如此所得之镀铜树脂件。11﹒依申请专利范围第10项之方法,其中之电镀为电镀铜,及镀敷系以0﹒1m/sec或以下之镀敷速度进行至铜层厚度至少为5m为止。12﹒依申请专利范围第10项之方法,其中当镀铜树脂件经电解镀敷而将铜层厚度增至10m时,产物之铜层剥离强度至少为0﹒4Kg/cm。13﹒一种生产镀铜成型件之方法,该方法包括将具有热变形温度高于165℃之经纤维加强或未经加强之耐热树脂成型件(1)及甲酸铜于30托耳或以下之减压下加热而其加剂而其加热方式系使得成型件(1)被加热至于165℃或以上至低于成型件之热变形温度范围内之预定温度,及甲酸铜系及至少1℃/min之速率于至少由130℃至165℃之范围升高温度者。14﹒依申请专利范围第13项之方法,其中之压力为5托耳或以下。15﹒依申请专利范围第13项之方法,其中之成型件(1)预先接受表面清洁处理。16﹒依申请专利范围第13项之方法,其中相对于加热处理成型件(1)及甲酸铜之镀敷段总面积而言甲酸铜之数量至少为0﹒001g/cm^2。17﹒依申请专利范围第16项之方法,其中甲酸铜之数量由0﹒003至0﹒3g/cm2。18﹒依申请专利范围第17项之方法,其中成型件(1)及甲酸铜系以下述状态加热者,成型件(1)于所需部分被覆以甲酸铜溶液或分数液及于130℃或以下之温度乾燥而将甲酸铜附着于成型件(1)上。19﹒依申请专利范围第18项之方法,其中之分散液为无水甲酸铜细粉,分散于沸点为200℃或以下之有机溶剂之分散液。20﹒依申请专利范围第18项之方法,其中成型件(1)及甲酸铜系以多个成型件(1)其上方附着有甲酸铜者置于容器内或置于定位装置上之方式而加热者。21﹒依申请专利范围第13项之方法,其中成型件(1)及甲酸铜被加热之同时系分开放置或以5cm以内之间隔距离固定于减压下。22﹒依申请专利范围第21项之方法,其中多个成型件(1)置于容器内或置于定位装置上而甲酸铜系置于容器盖内侧面或定位装置上。23﹒依申请专利范围第21项之方法,其中甲酸铜置于成型件(1)彼此之接触部分或成型件(1)与容器或定位装置之接触部分(见于成型件放置于容器或定位装置之例中。24﹒一种生成具有0﹒1至5m铜层紧密黏着于其上之镀层基板之方法,该方法包括将选自具有热变形温度高于165℃之耐热树脂膜或树脂片(2─1)及具有热变形温度高于165℃之热固树脂层叠物(2─2)中之任一基板(2)及甲酸铜定位或固定于30托耳或以下之减压下,间隔于5cm以下,将基板(2)加热至至少165℃及低于基板(2)之热变形温度范围之预定温度,以及以至少1℃/min之速率将甲酸铜之温度于至少由130℃至165℃之范围内升高。25﹒依申请专利范围第21项之方法,其中之﹒压力为5托耳或以下。26﹒依申请专利范围第24项之方法,其中之基板(2)事先进行表面清洁处理。27﹒依申请专利范围第24项之方法,其中相对于加热处理基板(2)及甲酸铜之镀敷段总面积而言甲酸铜之数量至少为0﹒001g/cm^2。28﹒依申请专利范围第27项之方法,其中之甲酸铜数量由0﹒003至0﹒3g/cm^2。29﹒依申请专利范围第24项之方法,其中之基板(2)于需要部分生成有多个钻孔。30﹒依申请专利范围第24项之方法,其中之基板(2)为紧醯亚胺膜。31﹒依申请专利范围第24项之方法,其中之基板(2)为热固树脂层叠物。32﹒依申请专利范围第24项之方法,其中基板(2)连续或间歇地供应至事先加热至预定温度之加热段;且随后从加热段中取出。33﹒一种生成具有0﹒1m或以上之铜层紧密黏者于其上之经镀敷贯穿孔物料之方法,该法包括于其内层具有印刷电路之镀铜板或多层板内生成大量贯穿孔,该板个别具有热变形温度高于165℃者因而生成贯穿孔基板(3),将甲酸铜定位或固定于距离贯穿孔5cm内之位置,将贯穿孔基板(3)加热至于至少165℃至低于贯穿孔基板(3)之热变形温度范围内之温度,处于30托耳或以下之减压下,以及将甲酸酮温度以至少1℃/min之速率升高至至少由130℃至165℃之温度范围,以及将甲酸铜维持于至少165℃之温度。34﹒依申请专利范围第33项之方法,其中之压力不高于5托耳。35﹒依申请专利范围第33项之方法,其中贯穿孔基板(3)连续或间歇地供应至事先加热至预定温度之加热段且随后从加热段中取出。36﹒依申请专利范围第33项之方法,其中之贯穿孔基板(3)及甲酸铜系以式穿孔基板(3)重叠于其上方经过薄层被层,或展开有甲酸铜之板经由薄的分隔器至少于贯穿孔基板(3)之缘部重叠者。37﹒依申请专利范围第33项之方法,其中之式穿孔基板(3)于生成贯穿孔后进行表面清洁处理而未接受油污去除处理。 |
